IDW10G120C5BFKSA1 | IR (Infineon Technologies) IDW10G120C5BFKSA1 | IDW10G120C5BFKSA1 Inventory, Best Pricing

IDW10G120C5BFKSA1

ချဲ့ပါ။

အကိုးအကားအတွက်သာ

အပိုင်းနံပါတ်	IDW10G120C5BFKSA1
LIXINC Part #	IDW10G120C5BFKSA1
ထုတ်လုပ်သူ	IR (Infineon Technologies)
အမျိုးအစား	discrete semiconductor › diodes - rectifiers - ခင်းကျင်းမှုများ
ဖော်ပြချက်	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO247-3
ဘဝဖြစ်စဥ်	လှုပ်လှုပ်ရှားရှား
RoHS	RoHS အချက်အလက်မရှိပါ။
EDA/CAD မော်ဒယ်များ	IDW10G120C5BFKSA1 PCB ခြေရာနှင့်သင်္ကေတ
ဂိုဒေါင်များ	အမေရိကန်၊ ဥရောပ၊ တရုတ်၊ ဟောင်ကောင် SAR
ခန့်မှန်းပေးပို့မှု	Oct 21 - Oct 25 2024(အမြန်ပို့ဆောင်မှုကို ရွေးပါ)
အာမခံ	1 နှစ်အထိ [Limited-Warranty]*
ငွေပေးချေမှု
သင်္ဘောဖြင့်ကုန်ပစ္စည်းပို့ခြင်း

IDW10G120C5BFKSA1 သတ်မှတ်ချက်များ

အပိုင်းနံပါတ်:	IDW10G120C5BFKSA1
အမှတ်တံဆိပ်:	IR (Infineon Technologies)
ဘဝဖြစ်စဥ်:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
အမျိုးအစား:	discrete semiconductor
အမျိုးအစားခွဲ:	diodes - rectifiers - ခင်းကျင်းမှုများ
ထုတ်လုပ်သူ:	IR (Infineon Technologies)
စီးရီး:	CoolSiC™+
အထုပ်:	Tube
အပိုင်းအခြေအနေ:	Active
diode ဖွဲ့စည်းမှု:	1 Pair Common Cathode
diode အမျိုးအစား:	Silicon Carbide Schottky
ဗို့အား - dc ပြောင်းပြန် (vr) (အမြင့်ဆုံး):	1200 V
လက်ရှိ - ပျမ်းမျှ ပြုပြင်ထားသော (io) (ဒိုင်အိုုဒ်တစ်ခု):	17A
voltage - forward (vf) (max) @ if:	1.65 V @ 5 A
အရှိန်:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ပြောင်းပြန် ပြန်လည်ရယူချိန် (trr):	-
လက်ရှိ - reverse leakage @ vr:	40 µA @ 1200 V
လည်ပတ်အပူချိန် - လမ်းဆုံ:	-55°C ~ 175°C
mounting အမျိုးအစား:	Through Hole
အထုပ်/အထုပ်:	TO-247-3
ပေးသွင်းကိရိယာ ပက်ကေ့ချ်:	PG-TO247-3-41

နွေးထွေးသော အကြံပြုချက်များ- အောက်ပါ ဖောင်ကို ဖြည့်ပါ။ ကျွန်ုပ်တို့သည် သင့်အား တတ်နိုင်သမျှ အမြန်ဆုံး ဆက်သွယ်ပေးပါမည်။

Lixinc သည် သင့်အတွက် အပြိုင်အဆိုင်အရှိဆုံးစျေးနှုန်းများကို ကမ်းလှမ်းမည်ဖြစ်ပြီး၊ ကိုးကားချက်များကို ကိုးကားပါ။

[email protected]

LIXINC

Message ပို့ပါ။

အသေးစိတ်အချက်အလက်များအတွက် ကျေးဇူးပြု၍ ကျွန်ုပ်တို့ထံ ဆက်သွယ်ပါ။

ISO9001:2015 & ISO14001:2015